一、概述：
SZT-5硅资料复合测试仪
，是由二种硅资料测试仪器组合而成的。
1、二量程的电阻丈量仪器
，配以手持式四针测试头或座式测试架
，可用来丈量片状
，柱状
，或块状
，电阻率
在0.01~200欧姆/厘领域内的半导体资料。通过对恒流源的调整
，能够对某些丈量了局进行建整
，例如对通常硅资料的测试了局要乘以0.628的探险头建改系数
，对硅资料薄层扩散和导电薄膜 “方块电阻“ 的建改系数为4.53等均可通过调正恒流电流加以处置。

2、整流法硅资料P-N极性判断仪
，配有三针手持式探头
，能对片状或块状电阻率在1000-0.01欧姆/厘米的。硅资料进行极性判断
本仪器工作环境前提为：
温　　度：18℃―25℃
相对湿度：50%－70%
工作室内应无强电场滋扰
，不与高频设备共用电源。

二、技术参数

1、丈量领域
(1)电阻率丈量：
电 阻 率 0.01-200Ω-cm
方块电阻 0.01-200Ω-口
电 阻 0.01-200.0Ω

2、数字电压表
(1)量 程: 200mV单一量程
(2)误 差: 读数 ±0.2%±3字
(3)输入电阻: >10MΩ

3、恒 流 源
(1)电流输出: 0~10mA陆续可调
(2)量 程: 1mA, 10mA
(3)误 差: ±0.2%±3字,

4、手持式四探针测试头
(a)探 针 间 距:1mm
(b)探针机械游移率:±1.0%
(c)探 针 材 料:碳化钨,φ0.
(d)压力:最大 2Kg
(2)导电类型判断：
可对电阻率为1000-.0.01欧姆/厘米的硅资料作导电类型测定
，同时能够声
，光报警方式暗示被测资料属于”沉掺”。